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Fraun­ho­fer Insti­tut für Pho­to­ni­sche Mikro­sys­teme

Das Fraun­ho­fer-Insti­tut für Pho­to­ni­sche Mikro­sys­teme ist eines von 67 Insti­tu­ten der Fraun­ho­fer-Gesell­schaft, einer der füh­ren­den Orga­ni­sa­tio­nen für ange­wandte For­schung in Europa.

Pro­mo­tion zum Thema: Desi­gnab­hän­gige Cha­rak­te­ri­sie­rung des Ein­flus­ses der STI-Füll­pro­zesse auf die che­mi­schen, struk­tu­rel­len und elek­tri­schen Eigen­schaf­ten von p- und n-FET SOI Sub­strate (IPMS-2018-71

Auf­ga­ben­be­sch­rei­bung:

Ein­zelne aktive Bau­ele­mente in einer mikro­elek­tro­ni­schen Schal­tung auf dem Wafer müs­sen in aus­rei­chen­dem Maße elek­trisch von­ein­an­der iso­liert wer­den. Dies wird umso wich­ti­ger, je näher die Bau­ele­mente anein­an­der rücken und je klei­ner die elek­tri­schen Betriebs­pa­ra­me­ter sowie ihre Betriebs­fens­ter wer­den, was die Emp­find­lich­keit für Stör­grö­ßen erhöht. Bei­des gilt z.B. bei Ener­gie­spar­tech­no­lo­gien mit hoher Funk­tio­na­li­tät wie 22FDX. Zur late­ra­len Iso­la­tion ist die Gra­be­ni­so­la­tion (engl.: Shal­low Trench Iso­la­tion STI) der Stand der Tech­nik. Da die Anzahl und Diver­si­fi­ka­tion von Chips ste­tig ansteigt, müs­sen die Pro­zesse und Inte­gra­ti­ons­sche­mata auf diese unter­schied­li­chen Her­aus­for­de­run­gen ange­passt sein. Ergän­zend dazu muss das Design die Gren­zen der Pro­zesse ken­nen und dem­entspre­chend mög­li­cher­weise modi­fi­ziert wer­den. Durch gezielte Unter­su­chun­gen der Füll­pro­zesse des STI-Moduls und deren bis­her weit­ge­hend unbe­kann­ten Aus­wir­kun­gen auf die FDSOI-Chan­nel­be­rei­che sol­len Gren­zen aus­ge­reizt wer­den, um alle Desi­gn­wün­sche rea­li­sie­ren zu kön­nen. Ent­wick­lun­gen im Bereich der Desi­gnan­pas­sung von STI Füll­pro­zes­sen und deren Opti­mie­rung hin­sicht­lich Device Per­for­mance sind ein wich­ti­ges For­schungs­feld am Fraun­ho­fer IPMS-CNT.

Im Rah­men einer Pro­mo­ti­ons­ar­beit sol­len dazu die fol­gen­den Auf­ga­ben bear­bei­tet wer­den:

  • Ent­wick­lung von phy­si­ka­li­schen und elek­tri­schen Mess­tech­nik­ab­läu­fen zur Cha­rak­te­ri­sie­rung des STI Füll­pro­zes­ses und der Detek­tion von Defek­ten auf Basis eines spe­zi­el­len Test­chips
  • Unter­su­chun­gen zum Ein­fluss der Füll­pro­zesse auf die che­mi­schen und struk­tu­rel­len Eigen­schaf­ten der ver­schie­de­nen Bestand­teile des SOI Sub­strats (BOX, cSiGe, Si)
  • Unter­su­chun­gen zur Abhän­gig­keit des Ladungs­trä­ger­trans­ports in FDSOI in Bezug auf Inter­faces, Span­nung, Tex­tur, Rau­ig­keit, Bias
  • Kom­mu­ni­ka­tion mit Pro­jekt­part­nern
  • Effek­tive Zusam­men­fas­sung der Ergeb­nisse und offene Dis­kus­sion im Team

Er­war­te­te Qua­li­fi­ka­tio­nen:

Was Sie mit­brin­gen

  • ein erfolg­reich abge­schlos­se­nes natur­wis­sen­schaft­li­ches Hoch­schul­stu­dium (Diplom / Mas­ter) in der Fach­rich­tung Phy­sik oder angren­zen­den Fach­be­rei­chen
  • Kennt­nisse zur elek­tri­schen Cha­rak­te­ri­sie­rung von Bau­ele­men­ten
  • Kennt­nisse sta­tis­ti­scher Daten­aus­wer­tung
  • ergeb­nis­ori­en­tierte Arbeits­weise und krea­tive Pro­blem­lö­sung
  • hohe Moti­va­tion zur selb­stän­di­gen, prak­ti­schen Bear­bei­tung der Expe­ri­mente im Rein­raum
  • Grund­la­gen der Mate­ri­al­ana­lyse über Rönt­gen-, Elek­tro­nen- und Ionen­strahl­me­tho­den
  • sehr gute Kom­mu­ni­ka­ti­ons­fä­hig­kei­ten in einem inter­na­tio­na­len Team

Un­ser An­ge­bot:

Wir bie­ten Ihnen eine span­nende und aktu­elle Pro­mo­ti­ons­ar­beit, bei der Sie von unser erfah­re­nen Pro­mo­ti­ons­be­treu­ung pro­fi­tie­ren. In einer her­vor­ra­gen­den indus­trie­na­hen For­schungs- und Ent­wick­lungs­in­fra­struk­tur tref­fen Sie auf ein gro­ßes Netz­werk von Exper­tin­nen und Exper­ten. Freuen Sie sich auf ein inspi­rie­ren­des, inter­na­tio­nal gepräg­tes Arbeits­um­feld, das von Ver­trauen, Krea­ti­vi­tät und Team­geist lebt. Wir geben Ihnen Raum für eigen­ver­ant­wort­li­ches Arbei­ten, indem Sie die Pro­jekt­ver­ant­wor­tung für Ihr Pro­mo­ti­ons­vor­ha­ben über­neh­men. Im Rah­men unse­res Dok­to­ran­den-Kol­legs pro­fi­tie­ren Sie von einem regel­mä­ßi­gen Aus­tausch mit ande­ren Dok­to­ran­den. Ihre per­sön­li­che und fach­li­che Wei­ter­ent­wick­lung för­dern wir mit indi­vi­du­el­len Wei­ter­bil­dungs­maß­nah­men.

Ihre Kar­riere: anspruchs­voll, abwechs­lungs­reich und mit bes­ten per­sön­li­chen Ent­wick­lungs­chan­cen.
Ihr Umfeld: hoch­pro­fes­sio­nell und inspi­rie­rend.
Ihr neuer Arbeit­ge­ber: die Fraun­ho­fer Gesell­schaft mit welt­weit mehr als 25.000 Mit­ar­bei­te­rin­nen und Mit­ar­bei­tern.
Ihre Zukunfts­adresse: Fraun­ho­fer IPMS.

Die Pro­mo­tion erfolgt über die Anbin­dung an eine deut­sche Uni­ver­si­tät und rich­tet sich nach dem jewei­li­gen Lan­des­hoch­schul­ge­setz. Die Durch­füh­rung der wis­sen­schaft­li­chen Arbeit ist am Cen­ter Nano­elec­tro­nic Tech­no­lo­gies in Dres­den vor­ge­se­hen.

Brin­gen Sie sich und Ihre Ideen in die füh­rende ange­wandte For­schungs- und Ent­wick­lungs­or­ga­ni­sa­tion Euro­pas - der Fraun­ho­fer Gesell­schaft - ein und gestal­ten Sie die Zukunft mit uns! Wir freuen uns dar­auf, Sie ken­nen zu ler­nen!

Anstel­lung, Ver­gü­tung und Sozi­al­leis­tun­gen basie­ren auf dem Tarif­ver­trag für den öffent­li­chen Dienst (TVöD). Zusätz­lich kann Fraun­ho­fer leis­tungs- und erfolgs­ab­hän­gige varia­ble Ver­gü­tungs­be­stand­teile gewäh­ren.
Die Stelle ist auf 3 Jahre befris­tet.
Schwer­be­hin­derte Men­schen wer­den bei glei­cher Eig­nung bevor­zugt ein­ge­stellt.
Die Fraun­ho­fer-Gesell­schaft legt Wert auf die beruf­li­che Gleich­stel­lung von Frauen und Män­nern.

Fraun­ho­fer ist die größte Orga­ni­sa­tion für anwen­dungs­ori­en­tierte For­schung in Europa. Unsere For­schungs­fel­der rich­ten sich nach den Bedürf­nis­sen der Men­schen: Gesund­heit, Sicher­heit, Kom­mu­ni­ka­tion, Mobi­li­tät, Ener­gie und Umwelt. Wir sind krea­tiv, wir gestal­ten Tech­nik, wir ent­wer­fen Pro­dukte, wir ver­bes­sern Ver­fah­ren, wir eröff­nen neue Wege.

Hin­wei­se zur Be­wer­bung:

Bitte sen­den Sie uns Ihre voll­stän­di­gen und aus­sa­ge­kräf­ti­gen Bewer­bungs­un­ter­la­gen aus­schließ­lich online über den ange­ge­be­nen Link.